GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析
摘要
摘要 通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱(PL)与计算结果进行比较.说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系.欲使量子阱红外探测器的响应峰值在8μm附近,则需量子阱结构中阱宽为47nm,垒中Al含量为029.理论计算与测试结果符合得较好. Abstract 作者及机构信息 李娜1, 袁先漳1, 李宁1, 陆卫1, 李志峰1, 窦红飞1, 沈学础1, 金莉2, 李宏伟2, 周均铭2, 黄绮2 (1)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083; (2)中国科学院物理研究所,北京100080 基金项目: 973项目!《光电功能晶体结构性能、分子设计、微结构设计与制备过程的研究》资助的课题&& Authors and contacts Li Na1, Yuan Xian-Zhang1, Li Ning1, Lu Wei1, Li Zhi-Feng1, Dou Hong-Fei1, Shen Xue-Chu1, Jin Li2, Li Hong-Wei2, Zhou Jun-Ming2, Huang Yi2 (1)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083; (2)中国科学院物理研究所,北京100080 参考文献 施引文献
引用本文（GB/T 7714）
Li Na, Yuan Xian-Zhang, Ning Li, 等. GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析[J]. Acta Physica Sinica, 2000.
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