UV Light-Emitting Diodes at 340 nm Fabricated on a Bulk GaN Substrate
摘要
我们表明一条紫外线轻射出的二极管(紫外铅) 在体积上制作了与排放在大约 340nm 集中了的 electroluminescence (EL ) 轧了底层。紫外铅的展览大概 10 的低反向的漏电流[?] 9 A 在下面[?] 在房间温度的 5 V，它能被低缺点密度在 epi 结构解释。注射水流层次的功能在体积上与垂直几何学揭示 LEDs 的改进的热驱散的 EL 系列的进化轧了底层。在提高的温度的 EL 紧张的不平常的增加能被热地帮助的 p 掺杂物电离解释。[从作者抽象]
引用本文（GB/T 7714）
杜孝璋, 陆海, 陈敦军, 等. UV Light-Emitting Diodes at 340 nm Fabricated on a Bulk GaN Substrate[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni, 2010.
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