锗（Ge）光学薄膜在不同沉积温度下的聚集密度研究
摘要
锗（Ge）薄膜是中长波红外区最常用的光学薄膜之一,高的聚集密度对于提升光谱稳定性和光学薄膜元件的品质非常重要。选用纯度为99.99%的Ge材料,在5×10-4Pa左右的真空压力下用电子束蒸发沉积,石英晶振仪将沉积速率控制在0.8~1.0nm/s范围,宝石片基片上的膜层厚度约为0.8~1.0μm,在不同沉积温度下制备样品。用傅里叶红外光谱仪测量吸潮前后薄膜的光谱曲线,根据波长漂移理论,计算出薄膜的聚集密度。结果表明：聚集密度随沉积温度的升高而增加,从常温沉积的约0.74上升到250℃沉积的0.99以上。
引用本文（GB/T 7714）
罗海瀚, 刘定权, 尹欣, 等. 锗（Ge）光学薄膜在不同沉积温度下的聚集密度研究[J]. 未知来源, 2011.
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