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Trapping Effects in CdSiO3：In^3＋ Long Afterglow Phosphor

邝金勇、刘应亮

2006Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunyatseniMaterials Science被引 2

摘要

在 CdSiO3 套住效果:In3+ 长晚霞黄磷基于光致发光(PL ) 和热照明(TL ) ，曲线被学习。二个内在的缺点在 346 点与山峰联系了的 TL 表演和 418K 的结果出现在 undoped CdSiO3 黄磷；而一仅仅强壮的镉空缺 V “( Cd )在 348K 与山峰联系的缺点由In3+由于Cd2+离子的化学非相等的替换出现在 theCd1-xInxSiO3 黄磷离子。进 CdSiO3 主人的 In3+ 离子的这化学非相等的替换生产了高度稠密的镉空缺 V “(Cd ) 在 348K 套住水平，它导致了长晚霞现象的起源。末端扩大了长做的 non-rare-earth 的家庭可得到的晚霞黄磷，和提议为长寻找的一条有希望的途径晚霞黄磷。

引用本文（GB/T 7714）