基于LOFIC技术的有源像素电荷溢流建模与分析
摘要
横向溢流集成电容（LOFIC）技术是一种提高互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器动态范围的重要手段，但LOFIC像素中的电荷溢流机制尚未得到深入研究。提出了一种LOFIC像素电荷溢流过程的解析模型，通过电场叠加原理分析了电荷溢流路径上的势垒，并采用迭代仿真方法研究了传输管电压和光照强度对电荷溢流过程的调控机制。研究结果表明，降低传输管电压和增大光照强度可以扩大钳位光电二极管的满阱容量。此外，电荷积累速率和电荷溢出速率会随着光照强度的增大而增大，但与传输管电压的高低无关。通过技术计算机辅助设计（TCAD）工具对模型进行了验证，并在110 nm CMOS工艺制造的芯片上进行了实验测试，结果表明TCAD仿真和芯片测试数据均与所提模型表现出良好的一致性。
引用本文（GB/T 7714）
张蔷 Zhang Qiang, 高志远 Gao Zhiyuan, 马彪 Ma Biao, 等. 基于LOFIC技术的有源像素电荷溢流建模与分析[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2025.
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