EBCMOS近贴区空间分辨率的影响研究
摘要
为获得高分辨率的电子轰击型互补金属氧化物半导体（EBCMOS）成像器件，对影响EBCMOS近贴区空间分辨率的因素进行研究。根据电磁场理论和傅里叶变换原理建立EBCMOS分辨率理论计算模型，分析光照度、近贴距离和近贴电压对器件近贴区内分辨率的影响。研究结果表明，减小近贴距离和增大近贴电压可减小电子轰击到芯片表面的扩散直径，进而提高器件分辨率，改变光照度大小对电子聚焦和分辨率的影响不大。当近贴区结构的近贴距离为100 μm、近贴电压为3000 V时，光电子到达背面轰击型CMOS（BSB-CMOS）表面的电子束扩散直径可减小至10 μm，极限分辨率可提高至127.27 lp/mm。研究将为优化近贴区结构和提高EBCMOS分辨率提供理论支撑。
引用本文（GB/T 7714）
姜北 Jiang Bei, 郑佳彤 Zheng Jiatong, 宋德 Song De, 等. EBCMOS近贴区空间分辨率的影响研究[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2025.
引文网络
本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。