基于LSPR效应的金属-半导体-金属光电探测器性能的研究
摘要
为提升光电探测器在特定波长下的光吸收能力和响应度，构造一种基于六边形金纳米线结构的金属-半导体-金属光电探测器，并在该结构上覆盖具有良好的光学透明性和电导率的氧化铟锡，利用有限元仿真软件COMSOL建立多组模型进行仿真对比。结果表明，优化参数后，在700~1500 nm光波段范围内，器件的整体光吸收率达90%，器件的响应度在偏置电压为5 V、入射光功率为10 mW下为0.39 A/W，且GaAs层厚度、六边形金纳米线直径和光入射角度均对该器件性能有影响。
引用本文（GB/T 7714）
胥晗 Xu Han, 孙科学 Sun Kexue, 徐荣青 Xu Rongqing. 基于LSPR效应的金属-半导体-金属光电探测器性能的研究[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2025.
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