基于890 nm半导体激光器的InGaAs/GaAsP多量子阱的外延生长条件及其界面质量研究
摘要
针对传统InGaAs/GaAs量子阱在890 nm波段增益与带阶下降的问题，在势垒层引入了P元素形成InGaAs/GaAsP量子阱结构以提高量子阱的应变及导带带阶，同时将阱层数量增加到10层，实现了在890 nm波段仍具有高增益的多量子阱。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，采用生长参数组合调控的方法，外延生长了InGaAs/GaAsP多量子阱，研究了不同生长条件对InGaAs/GaAsP多量子阱界面质量及光增益特性的影响。通过对比分析最终确定了适合InGaAs/GaAsP多量子阱的最佳生长参数，并获得了高质量的InGaAs/GaAsP多量子阱外延样品。
引用本文（GB/T 7714）
慕京飞 Mu Jingfei, Bin Wang, 周寅利 Zhou Yinli, 等. 基于890 nm半导体激光器的InGaAs/GaAsP多量子阱的外延生长条件及其界面质量研究[J]. Chinese Journal of Lasers, 2025.
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