基于超宽禁带半导体镓氧氮的深紫外光电探测器及其电弧检测应用
摘要
电弧是气体放电的最终形式，放电过程中产生的光电效应会辐射紫外线，波长主要集中在200~400 nm。因此，通过深紫外光电传感器将电弧产生的光信号转换为电信号，可以检测和评估电弧放电的程度，防患于未“燃”。通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统制备了镓氧氮（GaON）薄膜并构建了基于GaON的金属-半导体-金属（MSM）型深紫外光电探测器。实验结果表明，所制备的深紫外探测器在254 nm紫外光照下具有高响应度（0.327 A/W）、高探测率（4.08×1014 Jones）和快响应速度（上升时间为0.708 s，下降时间为0.413 s ）。该探测器在无任何光学聚焦器件的情况下，实现了在室外太阳光环境下对高压脉冲电弧的高灵敏度探测，在工业安全领域中有着潜在的应用价值。
引用本文（GB/T 7714）
鲁普东 Lu Pudong, 吴超 Wu Chao, 王顺利 Wang Shunli. 基于超宽禁带半导体镓氧氮的深紫外光电探测器及其电弧检测应用[J]. Chinese Journal of Lasers, 2025.
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