缺陷辅助隧穿对氧化硅/多晶硅载流子输运的影响
摘要
针对隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）太阳能电池或包含氧化硅/多晶硅（POLO结）器件，直接隧穿和针孔传输是目前被广泛认可的两种载流子输运机制，由于器件制造过程需要经历高温烧结工序，超薄氧化硅层在受到高温诱导应力下产生针孔的同时，也伴随着大量缺陷的出现，这有助于载流子通过缺陷辅助隧穿来传输。提出了氧化层中热应力诱导的缺陷辅助隧穿机制的假设，通过数值求解漂移扩散输运方程计算模拟了POLO结在暗态下的电流-电压特性以及相应的接触电阻率，计算结果与实验观测结果相吻合，表明缺陷辅助隧穿有可能是TOPCon太阳能电池或POLO结载流子输运中不可忽视的输运机制。此外，计算结果也表明，在热应力诱导的缺陷浓度较高和氧化层厚度较大的情况下，缺陷辅助隧穿对载流子输运起到非常重要的作用，甚至有可能占主导作用。这些研究结果将有助于加深人们对TOPCon太阳能电池中载流子输运机制的理解，为优化器件结构与性能提供有益的理论指导。
引用本文（GB/T 7714）
徐嘉玉 Xu Jiayu, 胡波 Hu Bo, 黄仕华 Huang Shihua. 缺陷辅助隧穿对氧化硅/多晶硅载流子输运的影响[J]. Acta Optica Sinica, 2024.
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