基于650 nm单角度面增益芯片的波长调谐干涉光源
摘要
提出一种基于650 nm单角度面增益芯片的波长调谐干涉光源。基于外腔激光器的腔增益模型，研究了增益芯片输出端反馈强度、增益带宽等核心参数对激光器稳定性和调谐特性的影响，明确了可调谐干涉光源对增益芯片的基本要求。在国内现有650 nm 法布里-珀罗（FP）激光器外延技术的基础上，通过设计和生长芯片的量子阱和单角度面波导结构，并优化芯片的制程，成功制备了增益带宽为8 nm、功率为5.5 mW的650 nm低内腔反馈增益芯片。利用该芯片研制了功率大于7 mW、无跳模调谐范围大于100 pm、分辨率达到10 fm的波长调谐干涉光源，该光源已成功应用于600 mm口径波长调谐干涉仪。多次干涉测量结果的标准差小于0.0001λ，表明该光源能够满足大口径高精度波长调谐干涉仪的使用需求。
引用本文（GB/T 7714）
杨振营 Yang Zhenying, 杨顺帆 Yang Shunfan, 葛佳妮 Ge Jiani, 等. 基于650 nm单角度面增益芯片的波长调谐干涉光源[J]. Chinese Journal of Lasers, 2024.
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