激光红外主被动像素读出电路设计
摘要
提出一种面向激光红外主被动探测的像素电路设计，其中像元中心距为30 μm。所设计电路中引入了直流电流（DC）消除反馈回路，提高了激光探测灵敏度，并结合脉冲宽度调制技术，实现了红外成像动态范围扩展。电路采用互补金属氧化物半导体（CMOS）180 nm工艺进行设计与验证，在激光探测模式下，可消除DC大小高达5.3 μA，并且能实现0.5 μA的幅值灵敏度和2.3 ns的脉冲宽度灵敏度；在红外成像模式下，传统高增益和低增益工作模式的动态范围分别为65.3 dB、69.1 dB，脉冲宽度调制技术可将动态范围扩展60 dB。
引用本文（GB/T 7714）
Mao Ye, 冯书涵 Feng Shuhan, 赵毅强 Zhao Yiqiang, 等. 激光红外主被动像素读出电路设计[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2024.
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