大尺寸黑磷晶体的制备
摘要
黑磷（BP）具有可调控的带隙、高载流子迁移率、优良的通断比和热导率等特性，然而目前常用的制备BP的方法化学气相运输（CVT）法可能会引入杂质，且仅依靠CVT法难以获得高质量且大尺寸的BP晶体。本研究结合CVT法和种晶法，通过改变籽晶的数量，研究高质量、大尺寸BP的生长方法，并对BP的晶体结构、结晶质量、晶体形貌、光学性质和电学性质进行表征和分析。结果表明，在采用CVT法制备BP晶体的过程中引入BP籽晶，于595 ℃的真空环境中退火6 h，最终获得的BP晶体的横向尺寸是原始BP的1.5倍，这为制备高质量、大尺寸BP晶体提供了有益参考。
引用本文（GB/T 7714）
刘豪哲 Liu Haozhe, 郭江涛 Guo Jiangtao, 王琴 Wang Qin, 等. 大尺寸黑磷晶体的制备[J]. Acta Optica Sinica, 2024.
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