基于光热反射的高功率半导体激光器输出腔面温度研究方法
摘要
半导体激光器输出腔面温度过高是导致腔面失效的关键因素，该温度直接决定了激光器的最高输出功率和可靠性。由于半导体激光器输出腔面尺寸在微米量级，故温度测量系统需要具有亚微米量级的空间分辨率，以获取输出腔面处的温度分布信息。采用光热反射成像技术建立了空间分辨率优于0.5 μm的温度测量系统，开展了半导体激光器输出腔面的测温研究。结果表明，半导体激光器输出腔面温度沿慢轴方向的分布极不均匀；在10 A驱动电流下，条宽为100 μm的975 nm高功率半导体激光器输出腔面外延层不同位置处的最大温差超过7 ℃，且输出腔面处量子阱层的最高温度（55 ℃）比结温（44.9 ℃）高10.1 ℃。研究结果有助于精确测量半导体激光器输出腔面的温度分布，对高功率半导体激光器的设计、测试、光学灾变损伤和失效分析等具有重要意义。
引用本文（GB/T 7714）
徐梓棒 Xu Zibang, 苗新莲 Miao Xinlian, 刘育衔 Liu Yuxian, 等. 基于光热反射的高功率半导体激光器输出腔面温度研究方法[J]. Chinese Journal of Lasers, 2024.
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