基于磁控溅射技术的钴掺杂氧化铜薄膜的LIBS多维度分析研究
摘要
通过磁控溅射技术制备了一系列不同溅射压强和功率下的钴（Co）掺杂氧化铜（CuO）薄膜，利用激光诱导击穿光谱（LIBS）技术实现了该薄膜的多维度分析。绘制了不同溅射压强和功率下薄膜中Co/Cu元素含量比的定标曲线，线性拟合系数均超过0.99，显示了LIBS强度比与薄膜中元素含量比有很好的一致性，实现了薄膜中元素含量比的快速定量分析。由纳米薄膜中Co/Cu的LIBS强度比的二维映射结果可知：Co/Cu强度比随溅射压强的增加先变大后减小再增大；随着溅射功率的增加，Co/Cu强度比减小，分布均匀性变差。薄膜的透过率光谱分析结果显示，当溅射压强为3.0 Pa和溅射功率为75 W时，薄膜禁带宽度达到了较大的值，且薄膜光学禁带宽度与Co/Cu的LIBS强度比随溅射参数变化的趋势是一致的，为薄膜的光学性能评估提供了LIBS技术支持。研究结果表明，LIBS技术可以实现磁控溅射制备的Co掺杂CuO薄膜的多维度分析。
引用本文（GB/T 7714）
董丽丽 Dong Lili, 吴家森 WU Jiasen, 夏祥宇 Xia Xiangyu, 等. 基于磁控溅射技术的钴掺杂氧化铜薄膜的LIBS多维度分析研究[J]. Chinese Journal of Lasers, 2024.
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