微环外腔可调谐窄线宽半导体激光器特性分析
摘要
对基于氮化硅的微环外腔反馈窄线宽半导体激光器进行了性能表征和研究。通过对增益芯片的驱动电流、两个微环热电极电压、相位节热电极电压和半导体制冷器（Thermoelectric cooler， TEC）温度控制等参数的调节，实现了C波段可调谐输出，所提激光器的边模抑制比≥52 dB，输出功率>10 dBm。通过对激光器高频白噪声进行表征，计算得到激光器的线宽为0.84 kHz，相位噪声在0.01、0.1和1 kHz处分别为581.04、60.47和6.70 μrad/Hz1/2。通过对激光器的相对强度噪声（RIN）进行测试，在1~20 GHz范围内，激光器RIN≤-156 dB/Hz。基于上述优异的性能，基于氮化硅的微环外腔反馈窄线宽半导体激光器有望在光纤传感、微波光子、相干通信和多普勒激光雷达等领域发挥潜在应用价值。
引用本文（GB/T 7714）
刘绍殿 Liu Shaodian, 肖永川 Xiao Yongchuan, 李朋飞 Li Pengfei, 等. 微环外腔可调谐窄线宽半导体激光器特性分析[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2024.
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