薄膜铌酸锂多尖端端面耦合结构
摘要
为提升薄膜铌酸锂芯片端面耦合的效率和稳定性，结合铌酸锂材料的刻蚀特点和工艺条件，设计并研究双层多尖端逆锥形的耦合结构。通过仿真计算、参数扫描和对比分析，探究双尖端和三尖端逆锥形耦合结构的特性及其参数选取方案。多尖端设计可扩大端面处的模场，从而降低对加工精度的要求。在侧壁倾角62°和最小宽度150 nm的工艺条件下，理想的双尖端和三尖端结构分别在1550 nm波长处实现0.47 dB和1.04 dB的单端耦合损耗，且具有较大的工作带宽和对准容差。最后，结合多尖端耦合结构的制造和测试结果，分析薄膜铌酸锂芯片上端面耦合结构的优化方案，为进一步实现低损耗耦合结构奠定基础。
引用本文（GB/T 7714）
王嘉毅 Wang Jiayi, 蔡明璐 Cai Minglu, 李天怡 Li Tianyi, 等. 薄膜铌酸锂多尖端端面耦合结构[J]. Acta Optica Sinica, 2024.
引文网络
本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。