增益分布对GaN基蓝光微盘激光器模式分布和发光功率的影响

许湘钰 Xu Xiangyu、刘召强 Liu Zhaoqiang、贾童 Jia Tong、楚春双 Chu Chunshuang、张勇辉 Zhang Yonghui、张紫辉 Zhang Zihui

2024Infrared and Laser EngineeringEngineering被引 1

摘要

通过FDTD仿真模拟计算，文中系统地研究了电流阻挡作用对GaN基蓝光激光器增益分布和光学性能的影响，发现回音壁激光模式主要在靠近微盘边缘1.5个波长范围谐振，因此，如果电流阻挡层面积太小，无法最大化减小激光器电流阈值；如果面积太大，回音壁激光模式与无增益区存在耦合效应，从而减少激光功率。另外，随着无增益区域向微盘边缘发生偏移，各个激光模式输出的峰值功率均下降，其中二阶模式峰值功率比一阶模式下降得更加显著，这主要是由于二阶模式分布范围更接近微盘中心区域。同时，进一步发现如果在微盘激光器的仿真模型中引入侧壁缺陷，则将导致边缘无法形成增益区，相比于二阶模式而言，一阶模式的发光功率随侧壁缺陷区域增加而下降的幅度更为显著，这主要是由于一阶模式分布范围更接近微盘边缘。

引用本文（GB/T 7714）

许湘钰 Xu Xiangyu, 刘召强 Liu Zhaoqiang, 贾童 Jia Tong, 等. 增益分布对GaN基蓝光微盘激光器模式分布和发光功率的影响[J]. Infrared and Laser Engineering, 2024.

引文网络

参考文献与被引分析加载中…

DOI：https://doi.org/10.3788/irla20230401

本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。