用于U波段高效放大的高锗掺铋光纤
摘要
掺铋（Bi）光纤由于其超宽带近红外发光性能引起了广泛关注，然而实现U波段高效放大的高锗（Ge）掺铋光纤在国内依然尚未研制成功，这是因为在掺铋光纤中实现高掺锗是一项极具挑战的工艺难点，同时如何实现Bi向Ge相关铋活性中心高效转化也是一个难题。基于改进的化学气相沉积技术，制备了一种纤芯GeO2摩尔分数约为42%的高锗掺铋光纤。其吸收测试结果显示，在1650 nm处出现明显的Ge相关铋活性中心的吸收峰。通过单级放大系统表征了其放大性能，在1670 nm处实现了26.3 dB的最高增益，增益效率达0.165 dB/mW。
引用本文（GB/T 7714）
刘少坤 Liu Shaokun, 殷晓科 Yin Xiaoke, 何乐 He Le, 等. 用于U波段高效放大的高锗掺铋光纤[J]. Chinese Journal of Lasers, 2024.
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