1967~2033 nm波段硅基可调谐外腔半导体激光器设计与仿真
摘要
2 μm波长附近可调谐半导体激光器在分子光谱学和光通信领域中有广阔的应用前景。基于绝缘体上硅（SOI）平台，对2 μm波长附近可调谐半导体激光器的外腔部分进行了设计优化。分析了不同尺寸光波导的模式损耗特性、单个微环谐振腔受总线波导耦合间距的作用以及总线波导光反馈终端对外腔半导体激光器性能的影响。并提出了一种具有高工艺兼容度的多模环形光波导光反馈结构。所设计的可调谐半导体激光器硅基外腔可通过环形波导上的镍铬合金微加热器进行0.1 nm/K的高精度调谐，对单个微加热器施加3.2 V电压时，调谐范围可达66 nm（1967~2033 nm）。
引用本文（GB/T 7714）
万浩然 Wan Haoran, 杨禹霖 Yang Yulin, 乔忠良 Qiao Zhongliang, 等. 1967~2033 nm波段硅基可调谐外腔半导体激光器设计与仿真[J]. Chinese Journal of Lasers, 2024.
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