基底均匀和梯度掺杂下EBCMOS电荷收集效率的优化模拟
摘要
为获得高增益的电子轰击型CMOS（EBCMOS）成像器件，根据载流子输运理论，采用蒙特卡罗方法，研究了EBCMOS基底在不同掺杂方式和结构参数下的电荷收集效率。结果表明：当基底均匀掺杂时，减小掺杂浓度、降低基底厚度及缩小近贴距离可以有效提高电荷收集效率；当基底梯度掺杂时，减小重掺杂浓度区域的范围，可以有效提高电荷收集效率。仿真优化后器件的电荷收集效率最高可达到86.28%，为国产EBCMOS器件的研制提供了理论支撑。
引用本文（GB/T 7714）
焦岗成 Jiao Gangcheng, 宋德 Song De, 闫磊 Yan Lei, 等. 基底均匀和梯度掺杂下EBCMOS电荷收集效率的优化模拟[J]. Chinese Journal of Lasers, 2024.
引文网络
本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。