InGaAs阱簇复合结构中铟原子自适应迁移的临界厚度
摘要
为了探究铟原子发生自适应迁移的临界厚度，首先测量得到InGaAs阱簇复合结构表面不同位置的自发辐射光谱。铟原子的自适应迁移会导致阱簇复合结构中同时产生铟含量正常的和损失的InxGa1-xAs区域，进而导致其自发辐射光谱具有特殊的双峰特征。通过对比光谱的双峰强度，计算并评估了正常In0.17Ga0.83As层的厚度起伏为4.6~6.4 nm，即铟原子发生自适应迁移的临界厚度为4.6 nm。通过对比4 nm传统InGaAs量子阱的单峰光谱特征，验证了铟原子发生自适应迁移临界厚度的准确性，该项研究对推动InGaAs阱簇复合量子限制结构的发展具有重要意义。
引用本文（GB/T 7714）
于庆南 Yu Qingnan, 刘子键 Liu Zijian, 王新宇 Wang Xinyu, 等. InGaAs阱簇复合结构中铟原子自适应迁移的临界厚度[J]. Acta Optica Sinica, 2023.
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