砷化镓p-i-n结构中的干扰效应对太赫兹波产生的影响与优化
摘要
基于超短激光脉冲泵浦砷化镓（GaAs）p-i-n异质结结构产生太赫兹辐射模型，通过数值模拟和理论分析，研究了干扰效应对产生太赫兹辐射的影响，以及i层厚度与干扰效应之间的相关性。结果显示，干扰效应会降低太赫兹脉冲的强度并使其频谱展宽，而且随着i层厚度的增加干扰效应的影响也在增加，该结果与已有的蒙特卡罗模拟结果相近。数值实验表明，超短激光泵浦GaAs p-i-n结构产生太赫兹脉冲源自于该结构中i层内的载流子振荡，且太赫兹脉冲特性依赖于载流子的浓度分布，干扰效应的影响以及载流子浓度分布依赖于i层厚度。
引用本文（GB/T 7714）
孙长明 Sun Changming, 李强爽 Li Qiangshuang, 王婧仪 Wang Jingyi, 等. 砷化镓p-i-n结构中的干扰效应对太赫兹波产生的影响与优化[J]. Chinese Journal of Lasers, 2023.
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