用于光放大的掺铒Ga2O3波导研究
摘要
利用射频磁控溅射法制备了掺铒Ga2O3薄膜，研究了不同氧化铒靶溅射功率和不同退火温度下薄膜的发光特性，发现在氧化铒靶溅射功率为40 W以及退火温度达到600 ℃时薄膜显示出良好的光致发光强度。为了有效避免直接蚀刻掺铒薄膜层导致的表面粗糙等问题，设计了沟道型以及脊型掺铒Ga2O3薄膜波导结构，并使用紫外光刻和等离子蚀刻技术制备相应的平面波导，使用截断法测得4 μm宽的掺铒Ga2O3波导在1 310 nm处的光学损耗最小为1.26 dB/cm。实验结果表明掺铒Ga2O3波导作为片上光学放大器件具有良好的应用前景。
引用本文（GB/T 7714）
刘瑞雪 LIU Ruixue, 张政 ZHANG Zheng, 邬健 WU Jian, 等. 用于光放大的掺铒Ga2O3波导研究[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2023.
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