具有阶梯型超晶格电子阻挡层和楔形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化
摘要
为了提升深紫外激光二极管（DUV LDs）的载流子注入效率，优化其工作性能，提出了阶梯型超晶格（SSL）电子阻挡层（EBL）和楔形（WS）空穴阻挡层（HBL）结构。使用Crosslight软件分别仿真了具有矩形EBL和HBL、矩形超晶格（RSL）EBL和塔形（TS）HBL以及SSL EBL和WS HBL的DUV LDs。仿真结果表明，SSL EBL和WS HBL更有效地增加了量子阱（QWs）中的载流子注入，减少了非有源区的载流子泄漏，提高了辐射复合率，降低了阈值电压和阈值电流，提高了DUV LDs的输出功率和电光转换效率。
引用本文（GB/T 7714）
张傲翔 Zhang Aoxiang, 任炳阳 Ren Bingyang, 王芳 Wang Fang, 等. 具有阶梯型超晶格电子阻挡层和楔形空穴阻挡层结构的AlGaN基深紫外激光二极管性能优化[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2023.
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