面向毫赫兹频段激光强度噪声抑制的低噪声光电探测技术
摘要
通过选定低噪声电压基准芯片作为光电二极管的稳定偏压,采用低暗电流光电二极管,设计外围跨阻放大电路,利用低温漂系数元件,温控及电磁屏蔽等,研发低噪声光电探测器,并通过低频段强度噪声评估系统对其噪声进行测试评估。实验结果表明:所研发的低噪声探测器在空间引力波频段的电子学噪声谱密度在1.649×10-5 V/Hz1/2以下,在0.1 mHz处为1.649×10-5 V/Hz1/2,在1 mHz处为6.95×10-6 V/Hz1/2,在1 Hz处为7.07×10-8 V/Hz1/2;在8 mW激光入射光电二极管时,探测器抬高为40 dB。该探测器噪声性能均小于相应引力波探测中对激光强度噪声的要求,可为引力波探测中激光强度噪声抑制等方面提供关键器件支撑。
引用本文(GB/T 7714)
郑立昂 ZHENG Liang, 李番 LI Fan, 王嘉伟 WANG Jiawei, 等. 面向毫赫兹频段激光强度噪声抑制的低噪声光电探测技术[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2023.
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