905 nm多有源区半导体激光器芯片结构优化设计

姬世宇 Ji Shiyu、熊聪 Xiong Cong、祁琼 Qi Qiong、常津源 Chang Jinyuan、Wei Li、刘素平 Liu Suping、马骁宇 Ma Xiaoyu

2023Acta Optica SinicaPhysics and Astronomy被引 1开放获取

摘要

905 nm多有源区激光器主要用作车载激光雷达的信号源。为了进一步降低激光器的阈值电流、提高斜率效率，对激光器芯片结构进行优化。在非对称大光腔波导外延结构的三有源区激光器中引入隔离沟道结构，通过控制隔离沟道的刻蚀深度和间距来抑制电流的横向扩散效应，提升器件性能。所制备的腔长为1 mm、电极宽度为110 μm、沟道刻蚀深度为7.0 μm，间距为125 μm的三有源区器件，能够将阈值电流降低到0.64 A，得到3.58 W/A的斜率效率，并在0.1%电流脉冲占空比的工作条件下获得134 W的峰值功率。

引用本文（GB/T 7714）

姬世宇 Ji Shiyu, 熊聪 Xiong Cong, 祁琼 Qi Qiong, 等. 905 nm多有源区半导体激光器芯片结构优化设计[J]. Acta Optica Sinica, 2023.

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DOI：https://doi.org/10.3788/aos230479

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