一种改进型单光子雪崩二极管探测概率模型及验证
摘要
基于半导体工艺器件仿真软件和Matlab编程，对光子探测概率（PDP）进行了建模和实验表征。进一步考虑器件表面二氧化硅薄膜的光透射性，可以准确预测单光子雪崩二极管（SPAD）的性能。将模拟结果与采用0.18 μm标准双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体（BCD）工艺设计和加工的SPAD的结果进行比较。结果显示，PDP的预测结果与实验结果之间具有良好的一致性，平均误差为1.72%。该模型可以减少商用器件仿真软件中存在的不收敛问题，极大减少了开发SPAD器件新结构所需的时间和成本。
引用本文（GB/T 7714）
曹智祥 Cao Zhixiang, 曾美玲 Zeng Meiling, Jian Yang, 等. 一种改进型单光子雪崩二极管探测概率模型及验证[J]. Acta Optica Sinica, 2023.
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