基于MOCVD生长的4.6 μm中红外量子级联激光器

庞磊 Pang Lei、程洋 Cheng Yang、赵武 Zhao Wu、谭少阳 Tan Shaoyang、郭银涛 Guo Yintao、李博 Li Bo、王俊 Wang Jun、周大勇 Zhou Dayong

2022Infrared and Laser EngineeringChemistry被引 5

摘要

中红外量子级联激光器在红外对抗、痕量气体检测、自由空间光通信等领域具有广阔的应用前景，采用MOCVD生长量子级联激光器的方法具有生产效率高、可做再生长、便于多组分生长等优点。报道了可室温连续波工作的中红外量子级联激光器，波长4.6 μm，采用MOCVD生长应变补偿的InGaAs/InAlAs材料。实验探究了不同掺杂对芯片性能的影响，通过优化掺杂浓度提升了器件性能。腔长3 mm，脊宽13 μm的芯片在288 K的温度下，脉冲模式下最大峰值功率达到722 mW，电光转换效率和阈值电流密度分别为6.3%和1.04 kA/cm2，在连续模式下功率输出达到364 mW。文中成功实现了用MOCVD生长中红外量子级联激光器，为中红外波段的激光应用提供了技术支撑。

引用本文（GB/T 7714）

庞磊 Pang Lei, 程洋 Cheng Yang, 赵武 Zhao Wu, 等. 基于MOCVD生长的4.6 μm中红外量子级联激光器[J]. Infrared and Laser Engineering, 2022.

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DOI：https://doi.org/10.3788/irla20210980

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