分子束外延GaAs/Si(001)材料反相畴的湮灭机理
摘要
从第一性原理出发，计算了不同温度下GaAs材料中沿{110}、{111}和{112}面传播的反相畴(APD)形成能，探索了反相畴的湮灭机理。结果表明，当温度达到660 K以上时，APD最稳定的传播晶面从{110}转变到{112}。通过分子束外延(MBE)技术，在无偏角Si(001)衬底上生长了1.4 μm厚的GaAs外延层。测试结果表明，随着生长温度的升高，APD密度降低，不同传播面的湮灭现象增加。反相畴在较高的生长温度下更易于扭折到{112}面，从而与其他反相畴相遇并发生湮灭。该结果对全MBE生长高性能无偏角硅基激光器研究具有重要意义。
引用本文（GB/T 7714）
肖春阳 Xiao Chunyang, 王俊 Wang Jun, 李家琛 Li Jiachen, 等. 分子束外延GaAs/Si(001)材料反相畴的湮灭机理[J]. Chinese Journal of Lasers, 2022.
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