基于Pt/GaN/AlGaN异质结高响应度双波段紫外探测器
摘要
提出一种在AlGaN基 PIN 器件的p-GaN表面上沉积Pt，形成肖特基势垒（SB）-PIN 异质结器件，器件的能带和载流子的输运发生了变化，这种新型光电探测器实现了双波段紫外探测，可分别工作在光伏和光电导模式下。器件在 275 nm波长的紫外光照射的负偏置电压下，工作模式为光伏探测，当入射光功率密度为 100 μW/cm2，偏置电压为-10 V时，器件得到最大响应度（0.12 A/W）；当偏置电压为-0.5 V时，器件得到最大探测率（1.0×1013 cm·Hz1/2·W-1）。器件在正偏置电压工作模式下可作为高响应、高增益的光电导探测器，当偏置电压为+10 V 时，用275 nm 和365 nm 波长的紫外光照射（光功率密度为100 μW/cm2），器件的响应度分别为10 A/W 和14 A/W，外量子效率分别为4500%和 4890%。所设计的双波段多功能器件将极大地扩展基于AlGaN的紫外探测器的用途。
引用本文（GB/T 7714）
Gang Wu, 唐利斌 Tang Libin, 郝群 Hao Qun, 等. 基于Pt/GaN/AlGaN异质结高响应度双波段紫外探测器[J]. Acta Optica Sinica, 2023.
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