有机薄膜场效应晶体管的研制
摘要
采用聚四氟乙烯充当绝缘材料, 利用全蒸镀法制备得到了有机薄膜场效应晶体管. 源极和漏极采用氧化铟锡, 半导体层和绝缘层分别由铜酞菁和聚四氟乙烯充当, 栅极采用银电极. 在利用光刻制备沟道长度为50 μm的源极和漏极后, 依次真空沉积铜酞菁层、聚四氟乙烯层和银层, 得到器件的电子迁移率为1.1×10<sup>-6</sup> cm<sup>2</sup>·(V·s)<sup>-1</sup>, 开关电流比大于500.
引用本文（GB/T 7714）
勇 邱, 立铎 王, 远川 胡, 等. 有机薄膜场效应晶体管的研制[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2002.
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