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三个新的稳定硅表面及其家族领地

Li Wen-Jie、Jiang Jin-long、Zhou Li、Zhao Nu-Guang、YANG WEI-SHENG、北京大学物理系人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871

2002Acta Physica SinicaPhysics and Astronomy被引 1开放获取

摘要

为了对稳定硅表面进行广泛的搜索,利用低能电子衍射(LEED)研究了13个散布在极射投影三角内各处的高指数硅表面:Si(10 4 13),(6 2 7),(8 4 11),(4 1 10),(2 1 5),(5 1 10),(5 2 10),(5 1 5),(5 1 6),(4 0 5),(12 4 19),(12 3 14)和(12 3 16).结果发现这些清洁的硅表面都不稳定,因为在被充分退火后,它们会彻底小面化成为分属一个或几个稳定表面的小面.提出了一套行之有效的方法,使小面化表面的复杂LEED图得以可靠地标定,进而确定了全部出现的稳定表面的指数.除已知的Si(15 3 23)外,还发现三个新的稳定表面,即Si(20 4 23),(3 1 4)和(3 1 7).同时也粗略地确定了它们的家族领地为了对稳定硅表面进行广泛的搜索,利用低能电子衍射(LEED)研究了13个散布在极射投影三角内各处的高指数硅表面:Si(10 4 13),(6 2 7),(8 4 11),(4 1 10),(2 1 5),(5 1 10),(5 2 10),(5 1 5),(5 1 6),(4 0 5),(12 4 19),(12 3 14)和(12 3 16).结果发现这些清洁的硅表面都不稳定,因为在被充分退火后,它们会彻底小面化成为分属一个或几个稳定表面的小面.提出了一套行之有效的方法,使小面化表面的复杂LEED图得以可靠地标定,进而确定了全部出现的稳定表面的指数.除已知的Si(15 3 23)外,还发现三个新的稳定表面,即Si(20 4 23),(3 1 4)和(3 1 7).同时也粗略地确定了它们的家族领地

引用本文（GB/T 7714）

DOI：https://doi.org/10.7498/aps.51.2567