首页 / 资料库 / 文献详情

不同取代基对四硫富瓦烯衍生物电荷传输影响的理论研究

晓峰 王会学 李志锋 李

2012Chinese Science Bulletin (Chinese Version)Engineering被引 1开放获取

下载 PDF 全文出版方页面 →

摘要

通过密度泛函理论考察了四种四硫富瓦烯衍生物的电荷转移情况. 二苯并-四硫富瓦烯(DB-TTF) 的全氟化增加了分子的重整能而不利于电荷传输, 但全氟化可降低化合物分子的前线轨道能级, 从而减小电子注入势垒, 这将有利于电子而不是空穴输运. 当N原子取代DB-TTF分子内苯环上的C 原子时, 分子的重整能没有增加, 但由于降低了前线分子轨道能级, 从而减小了电荷的注入势垒而且还加强了分子的热稳定性. 在DB-TTF 分子上引入NH<sub>2</sub> 可以改变分子晶体的结构以及电荷迁移率, 从而通过引入不同取代基来改变π-堆叠结构. 另外, 由于全氟化的DB-TTF 分子间具有较强的极化效应, 采用格点能校正方法来计算电荷转移积分更为恰当.

引用本文(GB/T 7714)

晓峰 王, 会学 李, 志锋 李. 不同取代基对四硫富瓦烯衍生物电荷传输影响的理论研究[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2012.

引文网络

参考文献与被引分析加载中…

DOI:https://doi.org/10.1360/csb2012-57-21-2000

本站仅收录题录与摘要供学习参考,全文版权归属出版方;如有侵权请联系我们删除。