GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线在金属镓颗粒上的原位生长及其发光性质
摘要
在1050℃氨气和氢气混合气氛中加热金属镓, 在镓颗粒表面原位生长出了GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线. 利用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物进行了表征, 结果表明, 所得不同形貌GaN纳米结构均为单晶六方纤锌矿结构, 纳米带宽度在20~300 nm, 长达30 μm; 纳米环直径在5~8 μm; Z字结构纳米线的直径约为160 nm. 研究了反应温度和时间对产物形貌和结构的影响, 提出了不同形貌GaN纳米结构的可能形成机理. 从GaN纳米结构的发光光谱中观察到了发光峰位于361 nm强的紫外光发光和456 nm弱的蓝光发光, 这两种发光分别起源于GaN宽带隙带边的激子发射和浅的给体向深的局域受体的跃迁.
引用本文（GB/T 7714）
海荣 郑, 建英 张, 红星 董, 等. GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线在金属镓颗粒上的原位生长及其发光性质[J]. Scientia Sinica Chimica, 2008.
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