SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究

HAO YUE、ZHU JIAN-GANG、GUO LIN、ZHANG ZHENG-FAN、(1)四川固体电路研究所,重庆400060; (2)西安电子科技大学理学院 ,西安　 71 0 0 71

2001Acta Physica SinicaMaterials Science被引 1开放获取

摘要

摘要 Abstract 作者及机构信息郝跃2, 朱建纲2, 郭林1, 张正幡1 (1)四川固体电路研究所,重庆400060; (2)西安电子科技大学理学院 ,西安 71 0 0 71 Authors and contacts HAO YUE2, ZHU JIAN-GANG2, GUO LIN1, ZHANG ZHENG-FAN1 (1)四川固体电路研究所,重庆400060; (2)西安电子科技大学理学院 ,西安 71 0 0 71 参考文献施引文献

引用本文（GB/T 7714）

HAO YUE, ZHU JIAN-GANG, GUO LIN, 等. SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究[J]. Acta Physica Sinica, 2001.

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DOI：https://doi.org/10.7498/aps.50.120

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