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黑腔靶辐射温度实验研究

SUN KE-XUHuang Tian-XuanDing Yong-KunRongqing YiJiang Shao-EnCui Yan-LiXiao‐Qing TangChen Jiu-Lin

2002Acta Physica SinicaEngineering被引 4开放获取

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摘要

研究腔靶辐射温度与靶型及激光辐照条件的关系.实验利用神光Ⅱ基频光,激光能量为3—5kJ8束,脉宽为0.6—0.9ns打Au腔靶.采用滤片x射线二极管(XRD)阵列谱仪及平响应x射线二极管(PXRD)分别测量腔靶诊断口辐射软x射线强度谱及其角分布,给出了等效辐射温度为140—180eV.同时,利用多针孔时、空分辨成像技术,观测诊断口发射软x射线时空特性,实验现象表明两种诊断口(衬Be环与无Be环)在160—170eV辐射温度条件下,辐射烧蚀产生的等离子体云均对腔内发射x射线流形成一定程度的阻挡作用,数据处理

引用本文(GB/T 7714)

SUN KE-XU, Huang Tian-Xuan, Ding Yong-Kun, 等. 黑腔靶辐射温度实验研究[J]. Acta Physica Sinica, 2002.

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DOI:https://doi.org/10.7498/aps.51.1750

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