电致发光中SiO2加速层中电子的输运特性
摘要
摘要 研究作为电致发光的加速层的SiO_2中电子的输运行为.给出SiO_2层中陷阶辅助电荷输运的理论模型,并用实验对这一模型进行了验证.认为电致发光条件下SiO_1层中的电子在低场下是以陷阱跳跃的形式输运的,而在高场下陷阱中的电子离化进入导带. Abstract 作者及机构信息 王文静1, 徐叙瑢1, 蔡军2 (1)天津理工学院材料物理研究所,天津300191; (2)中国科学技术大学物理系,合肥230026 基金项目: 国家自然科学基金;;国家“863”高科技项目资助的课题. Authors and contacts Wang Wen-Jing1, Xu Xu-Rong1, Cai Jun2 (1)天津理工学院材料物理研究所,天津300191; (2)中国科学技术大学物理系,合肥230026 参考文献 施引文献
引用本文（GB/T 7714）
Wang Wenjing, Xu Xu‐Rong, Cai Jun, 等. 电致发光中SiO2加速层中电子的输运特性[J]. Acta Physica Sinica, 1995.
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