MeV B离子注入铌酸钾晶体形成光波导的微结构研究
摘要
MeV离子注入已被用于研制光波导,特别是对低温相变材料尚属目前唯一的手段,铌酸钾晶体(KNbO<sub>3</sub>,简称KN)即为具有低温相变性质的非线性光学材料,被认为是最有应用前景的波导材料之一.近年来,文献[1,2]报道了利用MeV轻离子H或He注入法研究KN晶体的光波导特性. 我们依据重离子与物质相互作用的特点,能够在降低注入剂量,形成稳定的波导边界和减少光损耗方面较之轻离子注入更为有利.在文献[3]中报道了用6.0MeVB离子,1×10<sup>15</sup>cm<sup>-2</sup>剂量注入KN晶体形成非渗漏型光波导的新结果.
引用本文（GB/T 7714）
琰 李, 德忠 沈, 定予 沈, 等. MeV B离子注入铌酸钾晶体形成光波导的微结构研究[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 1999.
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