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两步法制备的自旋阀巨磁电阻效应研究

柴春林 卢正启

2000Acta Physica SinicaPhysics and Astronomy被引 1开放获取

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摘要

采用新的磁控溅射两步法沉积自旋阀多层膜,不仅交换耦合作用大大增强,而且可以提高磁电阻比值和降低层间耦合作用.得到磁电阻比值~26%,交换耦合场~28kA/m,层间耦合场~01kA/m.自旋阀的下部(缓冲层(Ta)/自由层(NiFe)/中间隔离层(Cu))在低氩气压下沉积、上部(被钉扎层(NiFe)/反铁磁钉扎层(FeMn)/覆盖层(Ta))则在高氩气压下沉积.前者保证了自旋阀具有强(111)晶体织构,平整的NiFe/Cu界面和致密的Cu层,抑制了层间耦合作用;后者则促进小尺寸磁畴生长和增加NiFe/FeM

引用本文(GB/T 7714)

柴春林 卢正启. 两步法制备的自旋阀巨磁电阻效应研究[J]. Acta Physica Sinica, 2000.

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DOI:https://doi.org/10.7498/aps.49.328

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