非等温模型下多量子势垒结构对LED性能的影响
摘要
引入了多量子势垒结构作为发光二极管的电子阻挡层来提高其性能. 在非等温多物理场耦合模型下, 对芯片的内量子效率、发热特性、光谱特性、以及光电转换效率做了系统分析. 结果表明: 发光二极管的内量子效率及光电转换效率得到显著改善, 光谱强度明显升高, 且多量子势垒结构的引入保证了芯片的热稳定性和发光稳定性. 原因主要是由于多量子势垒结构的引入改善了电子阻挡层的能带结构, 减少了漏电流, 显著增强了活性区中载流子浓度.
引用本文（GB/T 7714）
进良 徐, 晓东 王, 天虎 王. 非等温模型下多量子势垒结构对LED性能的影响[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2012.
引文网络
本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。