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纳米硅薄膜退火特性

Yu Mingbin、Yuliang He、Liu Hongtao、Luo Jin-sheng、(1)北京大学技术物理系,北京100871; (2)北京航空航天大学数理系,北京100083南京大学物理系与固体微结构国家重点实验室,南京210008; (3)北京航空航天大学数理系,北京100083西安交通大学电子工程系,西安710049; (4)西安交通大学电子工程系,西安710049

1995Acta Physica SinicaEngineering被引 1开放获取

摘要

对使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法在不同淀积条件下制备的非晶硅(a-Si:H)、微晶硅(μc-Si:H)和纳米硅(nc-Si:H)薄膜在200—600℃温度范围进行常规退火研究。用共振核反应技术测量了样品中氢含量C_H值及退火对氢含量及其分布的影响。通过室温下对暗电导率的测量得到退火对nc-si:H薄膜电导率的影响,并与a-Si:H,μc-Si:H薄膜的退火行为作了比较。使用紫外/可见/近红外分光光度计对样品透射率进行了测量,分析计算得到了退火温度T_a与ac-Si:H薄膜光学带隙E_g~(o

引用本文（GB/T 7714）

DOI：https://doi.org/10.7498/aps.44.634