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极性晶体的生长习性

汶军 李、尔畏 施、之文 殷

1999Chinese Science Bulletin (Chinese Version)Materials Science被引 2

摘要

采用配位多面体生长习性法则研究了极性晶体ZnO ,ZnS和SiO2 的理论生长习性 .发现其正负极轴方向的生长速度不同 .ZnO晶体的理论习性为六方柱状 ,各晶面的生长速度为 :V_{〈0 0 0 1〉}>V_{〈0 111〉}>V_{〈0 110〉}>V_{〈0 111〉}>V_{〈0 0 0 1〉};ZnS晶体的理论习性为四面体 ,各晶面的生长速度为 :V_〈111〉>V_{〈0 0 1〉}=V_{〈10 0〉}=V_{〈0 10〉}>V_〈111〉;SiO₂ 晶体的正负极轴方向的生长速度为V_{〈112 0〉}>V_{〈112 0〉}.此结果与在水热条件下观察到的生长习性符合得相当好 .而PBC理论不能解释正负极轴方向生长速度的差异 .

引用本文（GB/T 7714）

DOI：https://doi.org/10.1360/csb1999-44-22-2388