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用改进的sol-gel法制备锆钛酸铅薄膜及其物相转化的研究

Men Xiang-Jian、Cheng Jian-Gong、Biao Li、Tang Jun、Hongjuan Ye、Shaoling Guo、ZHU JUN-HAO、中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083

2000Acta Physica SinicaMaterials Science被引 2开放获取

摘要

利用改进的solgel法,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.5Ti0.5O3(PZT50/50)薄膜.采用了一种新的方式,从同一前驱体溶液得到了厚度各异的单一退火层.研究了薄膜的结构和性质随单层退火厚度的改变而发生的变化,发现随着单一退火层厚度的降低,薄膜(111)取向的程度增大,同时薄膜的剩余极化和介电常量也逐渐增高.当单一退火层厚度降低到约为40nm时,可得到高度(111)择优取向的PZT薄膜.从薄膜成核机理的基础上讨论了薄膜结构变化的内在因素,认为随单一退火层厚度的增加薄膜由单一的

引用本文（GB/T 7714）

DOI：https://doi.org/10.7498/aps.49.811