发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析

JI ZHEN-GUO、CHEN LI-DENG、MA XIANG-YANG、YAO HONG-NIAN、QUE DUAN-LIN、浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室,杭州310027

1995Acta Physica SinicaMaterials Science被引 1开放获取

摘要

摘要用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移. Abstract 作者及机构信息季振国, 陈立登, 马向阳, 姚鸿年, 阙端麟 1. 浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室,杭州310027 基金项目: 国家自然科学基金资助的课题. Authors and contacts JI ZHEN-GUO, CHEN LI-DENG, MA XIANG-YANG, YAO HONG-NIAN, QUE DUAN-LIN 1. 浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室,杭州310027 参考文献施引文献

引用本文（GB/T 7714）

JI ZHEN-GUO, CHEN LI-DENG, MA XIANG-YANG, 等. 发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析[J]. Acta Physica Sinica, 1995.

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DOI：https://doi.org/10.7498/aps.44.57

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