自加热效应下AlGaInN电子阻挡层对LED性能的影响
摘要
在自加热效应下, 对有、无AlGaInN电子阻挡层的两种发光二极管芯片进行了数值研究. 系统分析了芯片能带结构, 载流子输运与分布特性, 内部焦耳热和复合热特性, 内量子效率衰落的物理机制. 并讨论了不同俄偈复合系数在自加热效应下对效率衰落效应的影响. 模拟结果表明: 当在p-GaN层与活性层间插入AlGaInN电子阻挡层后, 效率衰落效应得到显著改善, 芯片结温明显升高. 俄偈复合热不是内热源的主要贡献, 可忽略不计. 效率衰落效应受芯片结温影响不大, 电子漏电流与俄偈复合是效率衰落的主要原因.
引用本文（GB/T 7714）
天虎 王, 进良 徐, 晓东 王. 自加热效应下AlGaInN电子阻挡层对LED性能的影响[J]. Chinese Science Bulletin (Chinese Version), 2014.
引文网络
本站仅收录题录与摘要供学习参考，全文版权归属出版方；如有侵权请联系我们删除。