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GLTGS晶体生长及其热释电性能

克从 张、耘华 蒋、希敏 王、民 王、云飞 李、新安 常

2000Chinese Science Bulletin (Chinese Version)Materials Science被引 1开放获取

摘要

根据结构与性能的关系, 选择胍基乙酸作为掺质, 采用水溶液降温法生长了GLTGS晶体, 发现掺质的存在使晶体的生长形态、单胞参数和解理性均发生了变化. 对所生长晶体的热释电性能进行了系统测量. 结果表明, 掺质显著地增强了晶体的热释电效应, 与纯TGS晶体相比, GLTGS晶体在20~30℃的温度范围内, 热释电系数增加了49.3%~55.8%, 品质因子增加了35.4%~49.3%. 另外, 经过测量晶体的电滞回线发现, 在相同条件下, GLTGS晶体的矫顽电场比纯TGS晶体约增大一倍,

引用本文（GB/T 7714）

DOI：https://doi.org/10.1360/csb2000-45-12-1263