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离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构

Li Xiaona、Nie Dong、Chuang Dong、Ma Tengcai、Jin Xing、Zhang Zhe、(1)三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部 ,大连理工大学材料工程系 ,大连　 1 1 60 2 4; (2)三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部,大连理工大学材料工程系,大连116024中国科学院北京电子显微镜实验室北京100080; (3)中国科学院北京电子显微镜实验室,北京100080

2002Acta Physica SinicaPhysics and Astronomy被引 5开放获取

摘要

Ｉｒｏｎ ｓｉｌｉｃｉｄｅｆｉｌｍｓｈａｖｅｂｅｅｎｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄｂｙｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ (ＭＥＶＶＡ)ｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆｉｒｏｎｉｎｔｏ (1 1 1 )ａｎｄ (1 0 0 )ｏｒｉｅｎｔｅｄｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓ.Ｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｅｖｏｌｕｔｉｏｎｗａｓｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄｕｓｉｎｇｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ (ＴＥＭ)ａｎｄｈｉｇｈｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ (ＨＲＥＭ) .ＴｈｅβFeSi2ｆｉｌｍｓａｎｄｂｕｒｉｅｄｌａｙｅｒｓｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔｄｅｐｔｈａｎｄｔｈｉｃｋｎｅｓｓｗｅｒｅｏｂｔａｉｎｅｄｂｙａｄｊｕｓｔｉｎｇｔｈｅｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎｅｎｅｒｇｙａｎｄｄｏｓｅ .Ｔｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆα,β,γａｎｄＣｓＣｌ ＦｅＳｉ2 ｐｈａｓｅｓｈａｖｅｂｅｅｎｏｂｓｅｒｖｅｄ .ＴｈｅｐｈａｓｅｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｏｒｄｅｒｉｓγFeSi2→βFeSi2→αFeSi2,CsClFeSi2→βFeSi2→αFeSi2 or βFeSi2→αFeSi2.Ａｎａｍｏｒｐｈｏｕｓｌａｙｅｒｗａｓｆｏｒｍｅｄａｔ60ｋＶａｎｄ 4× 1 0 1 7ｉｏｎｓ ｃｍ2 ,ｔｈｅｐｈａｓｅｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｏｒｄｅｒｉｓａｍｏｒｐｈｏｕｓ→β ＦｅＳｉ2 →α ＦｅＳｉ2 .Ｔｈｅｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｎｄｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆｔｈｅｓｉｌｉｃｉｄｅｆｉｌｍｓｃｈａｎｇｅｗｉｔｈｔｈｅａｎｎｅａｌｉｎｇｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ.Ｔｈｅｓｉｌｉｃｉｄｅｇｒａｉｎｓｇｒｏｗｗｉｔｈｉｎｃｒｅａｓｉｎｇａｎｎｅａｌｉｎｇｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｗｉｔｈｆｕｒｔｈｅｒｉｎｃｒｅａｓｅｏｆｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ,ｔｈｅｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｓｉｌｉｃｉｄｅｌａｙｅｒｓｓｈｒｉｎｋｉｎｔｏｉｓｏｌａｔｅｄｉｓｌａｎｄｓａｎｄｔｈｅｉｎｔｅｒｆａｃｅβ ＦｅＳｉ2 Ｓｉｂｅ ｃｏｍｅｓｒｏｕｇｈｅｒ.Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ,ｔｈｅｃｏｍｐｌｉｃａｔｅｄｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｓｅｘｉｓｔｉｎｇｂｅｔｗｅｅｎβ ＦｅＳｉ2 ａｎｄＳｉｗｅｒｅａｌｓｏｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ

引用本文（GB/T 7714）

DOI：https://doi.org/10.7498/aps.51.115