InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究
摘要
摘要 分析研究了GaAsInAs自组装量子点的电输运性质,通过对实验数据的分析,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和IV曲线中迟滞回路以及电导曲线中台阶结构产生的原因.迟滞回路和台阶的出现与电场中量子点的充放电过程相关:迟滞回路反映了量子点充电后对载流子的库仑作用,而电导台阶则反映了量子点因共振隧穿的放电现象 关键词: 迟滞现象 / 自组装量子点 / 共振隧穿 Abstract Keywords: / / 作者及机构信息 赵继刚2, 邵彬2, 王太宏1 (1)中国科学院物理研究所,北京100080; (2)中国科学院物理研究所,北京100080;北京理工大学,北京100081 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :6 992 5 410和 19990 40 15 )资助的课题 Authors and contacts Zhao Ji-Gang2, Shao Bin2, Wang Tai-Hong1 (1)中国科学院物理研究所,北京100080; (2)中国科学院物理研究所,北京100080;北京理工大学,北京100081 参考文献 施引文献
引用本文（GB/T 7714）
Zhao Ji-gang, Shao Bin, Taihong Wang, 等. InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究[J]. Acta Physica Sinica, 2002.
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