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具有分隔层Bi的反铁磁/铁磁双层薄膜间的短程交换耦合

Minghua Li、Yu Guang-Hua、Ge He、Fengwu Zhu、Wuyan Lai、(1)北京科技大学材料物理系,北京100083; (2)中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080; (3)中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080;北京科技大学材料物理系,北京100083

2002Acta Physica SinicaMaterials Science被引 1开放获取

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摘要

用磁控溅射方法制备了NiFeⅠFeMnBiNiFeⅡ薄膜,研究了反铁磁薄膜FeMn与铁磁薄膜NiFeⅠ及NiFeⅡ间的交换偏置场Hex相对于分隔层Bi厚度的变化.发现随分隔层Bi厚度的增加,FeMn与NiFeⅠ间的交换偏置场Hex1几乎不变,FeMn与NiFeⅡ间的交换偏置场Hex2急剧减小.当Bi的厚度超过06nm时,FeMn与NiFeⅡ之间的交换偏置场从6925下降为0876kA·m-1.x射线光电子能谱(XPS)分析表明,沉积在FeMnNiFeⅡ界面的Bi并没有全部停留在界面处,至少有部分偏聚到Ni

引用本文（GB/T 7714）

Minghua Li, Yu Guang-Hua, Ge He, 等. 具有分隔层Bi的反铁磁/铁磁双层薄膜间的短程交换耦合[J]. Acta Physica Sinica, 2002.

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DOI：https://doi.org/10.7498/aps.51.2854

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